【內容簡介】

本研究探討高功率化合物半導體，以碳化矽（Silicon Carbide, SiC）和氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）在全球數位化與淨零轉型背景下的戰略佈局與技術競爭態勢。研究方法首先採用比較政策分析法，系統性盤點美國、歐盟、中國、日本、韓國及台灣在該領域的政策框架與工具；其次，運用專利計量分析，以美國專利商標局（UnitedStates Patent and Trademark Office, USPTO）2015 年至2024 年的核准專利為資料集，透過合作專利分類號（Cooperative Patent Classification, CPC） 與關鍵字檢索策略，計算複合成長率（Compound Annual Growth Rate, CAGR）及相對技術優勢（Revealed Technological Advantage, RTA）指標。